區(qū)熔單晶硅片

根據(jù)客戶的需要公司可提供用于制作高反壓器件、光電子器件的本征高阻區(qū)熔單晶硅片；用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶體管（GTR）、晶閘管（GRO）、靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、超高壓二極管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等半導(dǎo)體器件需要的中子輻照區(qū)熔單晶硅片、氣相摻雜區(qū)熔單晶硅片、直拉區(qū)熔單晶硅片。

規(guī)格：

產(chǎn)品類型	導(dǎo)電類型	晶向	直徑(mm)	電阻率(Ω?cm)	厚度(μm)
本征高阻區(qū)熔單晶硅片 （FZ）	N&P	<100><110><111>	40-150	>100	≥160
中子輻照區(qū)熔單晶硅片 （NTDFZ）	N	<100><110><111>	40-150	30-800	≥160
氣相摻雜區(qū)熔單晶硅片 （GDFZ）	N&P	<100><110><111>	76.2-150	0.001-50	≥160
直拉區(qū)熔單晶硅片 （CFZ）	N&P	<100><110><111>	76.2-150	1-50	≥160